Szívós, JánosBalogh, LydiaRajta, IstvánNagy, GyulaGaál, Zoltán TamásSamu, ViktorTakefumi, KondoZolnai, Zsolt2025-04-282025-04-282022IEEE Journal of the Electron Devices Society. -10 (2022), p. 761-768. -IEEE J. Electron Devices Soc. - 2168-6734. - 2168-67342168-6734https://hdl.handle.net/2437/389437Monitoring of Dose Dependent Damage in MeV Energy Hydrogen Implanted Silicon by Photo-Modulated Reflectance Measurementsfolyóiratcikkopen access articlehttps://ebib.lib.unideb.hu/ebib/CorvinaWeb?action=cclfind&resultview=long&ccltext=idno+BIBFORM129628TermészettudományokFizikai tudományokhttps://ieeexplore.ieee.org/document/9784931szerzőhttp://dx.doi.org/10.1109/JEDS.2022.31788662025-04-2800085384240000985131731774