Szerző szerinti böngészés "Parditka, Bence"
Megjelenítve 1 - 20 (Összesen 23)
Találat egy oldalon
Rendezési lehetőségek
Tétel Korlátozottan hozzáférhető Al2O3 rétegek diffúziót korlátozó tulajdonságainak vizsgálataNagy, Tibor; Parditka, Bence; Erdélyiné Baradács, Eszter Mónika; DE--Természettudományi és Technológiai Kar--Kémiai IntézetSzilícium hordozó felületére porlasztott réz diffúziójának mérése a rézréteg tetejére ALD módszerrel rétegzett alumínium-oxid rétegek lyukhibáin keresztül. A lyukhibák keresése és jelenlétük bizonyítása SEM módszer segítségével, valamint Auger-elektronspektroszkópia alkalmazása a hőkezelésnek kitett rétegek tetején megjelenő réz diffúziós idejének meghatározása céljából. A rétegvastagságok és a réz átjutási idejének ismeretében diffúziós állandó meghatározása az Al2O3-zárórétegre.Tétel Korlátozottan hozzáférhető Atomi vastagságú rétegek pára- és gázáteresztő képességének vizsgálataIlosvai, Regina; Gyöngyösi, Szilvia; Parditka, Bence; DE--Természettudományi és Technológiai Kar--Fizikai IntézetAtomi vastagságú rétegek pára- és gázáteresztő képességének vizsgálata.Tétel Szabadon hozzáférhető Carbon nanosphere templates for the preparation of inverse opal titania photonic crystals by atomic layer deposition(2020) Bakos, László Péter; Karajz, Dániel; Katona, András; Hernádi, Klára; Parditka, Bence; Erdélyi, Zoltán; Lukács, István; Hórvölgyi, Zoltán; Szitási, Géza; Szilágyi, Imre MiklósTétel Szabadon hozzáférhető Combining ZnO inverse opal and ZnO nanorods using ALD and hydrothermal growth(2022) Karajz, Dániel; Cseh, Domonkos; Parditka, Bence; Erdélyi, Zoltán; Szilágyi, ImreTétel Szabadon hozzáférhető Continuous tuning of the plasmon resonance frequency of porous gold nanoparticles by mixed oxide layers(2020) Juhász, Laura; Parditka, Bence; Petrik, Péter; Cserháti, Csaba; Erdélyi, ZoltánTétel Szabadon hozzáférhető Core-shell carbon nanosphere-TiO2 composite and hollow TiO2 nanospheres prepared by atomic layer deposition(2016) Bakos, László Péter; Justh, Nóra; Hernádi, Klára; Kiss, Gabriella Ilona; Réti, Balázs; Erdélyi, Zoltán; Parditka, Bence; Szilágyi, Imre MiklósTétel Szabadon hozzáférhető Decoration of Vertically Aligned Carbon Nanotubes with Semiconductor Nanoparticles Using Atomic Layer Deposition(2019) Szabó, Anna; Bakos, László Péter; Karajz, Dániel; Gyulavári, Tamás; Tóth, Zsejke-Réka; Pap, Zsolt; Szilágyi, Imre Miklós; Igricz, Tamás; Parditka, Bence; Erdélyi, Zoltán; Hernádi, KláraTétel Szabadon hozzáférhető Electron irradiation induced amorphous SiO2 formation at metal oxide/Si interface at room temperature; electron beam writing on interfaces(2018) Gurbán, Sándor; Petrik, P.; Serényi, Miklós; Sulyok, Attila; Menyhárd, Miklós; Baradács, Eszter; Parditka, Bence; Cserháti, Csaba; Langer, Gábor Antal; Erdélyi, ZoltánTétel Szabadon hozzáférhető Experimental investigation of rheological properties and thermal conductivity of SiO2-TiO2 composite nanofluids prepared by atomic layer deposition(2022) Várady, Zalán István; Ba, Thong Le; Parditka, Bence; Erdélyi, Zoltán; Hernádi, Klára; Karacs, Gábor; Gróf, Gyula; Szilágyi, Imre MiklósTétel Korlátozottan hozzáférhető Fázishatárok mozgásának vizsgálata szilárdtest reakciókban(2010-05-10T07:58:15Z) Parditka, Bence; Erdélyi, Zoltán; DE--TEK--Természettudományi és Technológiai Kar--Fizikai IntézetA DIPLOMAMUNKA ÖSSZEFOGLALÁSA A diplomamunka első részében a Stephenson-féle modellre alapozva megvizsgáltuk, hogy a diffúziós keveredés következtében fellépő feszültség hogyan befolyásolja a diffúziós kinetikát amorf Si-Ge rendszerben. A feszültséghatást különböző diffúziós aszimmetria feltételezése mellett is tanulmányoztuk. Azt találtuk, hogy a diffúziós keveredés következtében fellépő feszültség nem képes számottevően befolyásolni kinetikát, parabolikus marad. Ennek jelentősége abban rejlik, hogy számos elméleti és kísérleti vizsgálat rámutatott, hogy nanoskálán anomális kinetika is megfigyelhető nagy diffúziós aszimmetria esetében. Azonban az elméleti vizsgálatokban a feszültségek szerepét nem vették figyelembe, míg a kísérletekben nem tudtak semmit mondani a feszültségek szerepére vonatkozólag. A diplomamunka második részében bemutattuk az általunk kifejlesztett kinetikus átlagtér modellt, mely képes egy kétalkotós rendszerben egy rendezett és egy korlátozott oldékonyságú fázis egyensúlyának kialakítására és fenntartásra, melynek működését több tesztszámolással demonstráltuk is. Ezek a vizsgálatok fontos hozzájárulást jelentenek a határfelületi elmozdulás-kinetikák vizsgálatában. Ez a terület amellett, hogy alapkutatási szempontból is jelentős, fontos alkalmazási, technológiai vonatkozásokkal is bír. Zárásképpen érdemes még megemlíteni, hogy a diplomamunka első részében bemutatott munka képezi egy általunk a Physical Review B folyóiratba beküldésre került kéziratnak.Tétel Szabadon hozzáférhető Interface induced diffusion(2021) Gurbán, Sándor; Sulyok, Attila; Menyhárd, Miklós; Baradács, Eszter; Parditka, Bence; Cserháti, Csaba; Langer, Gábor Antal; Erdélyi, ZoltánTétel Korlátozottan hozzáférhető Investigation of diffusion and solid state reactions on the nanoscale in silicon based systems of high industrial potential: experiments and simulationsParditka, Bence; Erdélyi, Zoltán; Girardeaux, Christophe; Parditka, Bence; Fizikai tudományok doktori iskola; DE--Természettudományi és Technológiai Kar -- Szilárdtest Fizika TanszékBevezetés Újkori, szilícium alapú technológiákra épült társadalmunkban a vezető szerep a fém-szilicideké és a germánium - szilícium alapú elektronikai eszközöké, vagyis az ezekre épült iparágaké. Akár kontakt akár szerkezeti anyagokról beszéljünk is az imént említett fém-szilicidek jelentős szerepet töltenek be a modern elektronikai iparban. A szilícium a legtöbb esetben valamely más anyaggal közösen van jelen a különféle elektronikai eszközökben, így az különböző összetevők között lejátszódó reakciók kétség kívül nagy érdeklődésre tartanak számot. A kobalt (Co), a nikkel (Ni), a réz (Cu), az ezüst (Ag) és a germánium (Ge) közös múltja messzire nyúlik a szilíciummal (Si) vagy épp csak most kezd szembesülni a tudomány legújabb határmezsgyéivel, melyek új megoldásokat, technológiákat kínálhatnak a jövő problémáira. Célkitűzés és vizsgálati módszerek Kísérleteink és szimulációink során 4 különböző anyagpárost vizsgálva tanulmányoztuk a diffúziót valamint az ahhoz kapcsolódó fizikai folyamatokat. Ezek a következő rendszerek voltak: Si-Ge, Ni-Si, Cu-Si és Ag-Si. Ezen 4 anyagpáros mindegyike szorosan kötődik a jelenlegi vagy épp fejlesztés alatt álló elektronikai alkalmazásokhoz egészen a nanométeres mérettartományig. Jelenlétük az elektronikában, az akkumulátorok, a napelemek és az optikai adathordozók területén tagadhatatlan. Minthogy jelen társadalmunk a szilícium alapú technológiákon nyugvó számítógépek, táblagépek és mobil telefonok iparágaira épül, eme anyagpárosok, technológiák és alkalmazások további kutatása és fejlesztése tekintélyes jelentőséggel bír. Az alábbi munkában leírt mérésekkel és az azokban felsorolt eredményeinkkel szeretnénk hozzájárulni a már elődeink által kitaposott ösvény további szélesítéséhez a tudomány eme terültén annak reményében, hogy az majd másokat is inspirálni fog a jövőben. A feszültség hatása a diffúzió kinetikájára Elméleti alapokon nyugvó számítógépes szimuláció segítségével – az egyszerűség kedvéért, sík geometriai modellel – vizsgáltuk a feszültség diffúzióra gyakorolt hatásait. Arra a kérdésre kerestük a választ, hogy milyen folyamatok eredményeként válik a Nernst-Planck limit dominánssá a Darken limittel szemben, mint ahogy arról korábban már beszámoltak [1]. Szimulációinkban Stephenson egyenleteit használtuk fel, amelyek egy egydimenziós, izotróp, n komponensű rendszerben írják le a diffúziós folyamatok által indukált feszültség növekedését valamint azok viszkózus folyással történő relaxációját [2,3]. A szimulációk egyaránt kiterjedtek azon esetekre, amikor a diffúziós aszimmetria hangsúlyos (erősen koncentrációfüggő diffúziós együttható, mely jelentős eltérést eredményez a diffúzió sebességében fázishatár két oldalán), és azokra az esetekre is, amikor szerepe elhanyagolható volt. Fázisképződés kezdeti lépéseinek vizsgálata a Ni-Si rendszerben XSW alapú technikákkal Németországban a Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie (HZB) intézet 3. generációs szinkrotron sugárforrásánál, szendvics szerkezetű mintákon (Ta/a-Si/Ni/a-Si/Ta//hordozó), röntgen állóhullám technikán (X-ray Standing Wave - XSW) alapuló méréseket végeztük Ni-Si rendszerben. Célunk a keletkező szilicid fázis kezdeti növekedési szakaszának vizsgálata volt. A mérések során a Ni2Si fázis kezdeti növekedését követtük, majd annak további szélesedését figyeltük meg. Az alacsony szögű röntgen fluoreszcencia (Grazing Incidence X-ray Fluorescence - GIXRF) mérés során a mintákra állandó energiájú nyalábot bocsájtottunk, mely nyaláb energiája a Ni abszorpciós éle közelében volt. Mérés során a a gerjesztett Ni atomok legerjesztődése során kibocsájtott fluoreszcencia jelet mértük. A belépési szög változtatásával továbbá módunkban áll megváltoztatni a kialakuló állóhullám módusait, azaz a duzzadó helyek illetve csomópontok pozícióját, ami által meghatározható a jel eredetének helye. A mért fluoreszcencia jelből egy a Debreceni Egyetem csoportjának egy tagja által kifejlesztett program segítségével módunkban állt kiszámítani a Ni atomok koncentrációját a mintában. Ez egy meglehetősen új, roncsolás-mentes technika, amely segítségével lehetőségünk van mélységi analízist végezni nanométeres feloldással. Mindemellett EXAFS (Extended X-ray Absorption Fine Structure) méréseket is végeztünk, mely során a belépési szöget és az energiát egyaránt változtattuk annak érdekében, hogy egy adott hullám módus állandó maradjon a mérés során. Az EXAFS mérésből információt nyerhetünk a legközelebbi Si-Ni atomi távolságokról valamint megkaphatjuk a szomszédos Si atomok számát a Ni atomok körül. Mivel az EXAFS méréseket is állóhullám módban mértük, így a kapott információ az állóhullámok duzzadó helyeiről származik, ekképpen egy mélységi felbontású EXAFS mérést hajtottunk végre. Jelenlegi ismereteink alapján egyetlen egy ehhez hasonló mérésről tudunk, melyet ugyanennek a debreceni tanszéknek egy csoportja hajtott végre a Co-Si rendszeren, mely során a CoSi fázis kialakulását figyelte meg a csoport. Jelen mérés azonban nem csupán az imént említett korábbi mérések megismétlése egy másik rendszeren, hanem az XSW és EXAFS mérések adatainak összehasonlításával a technika megbízhatóságának továbbfejlesztéséhez is hozzájárult. Minthogy mindkét fent említett technika segítségével meghatározható a Ni2Si/Ni arány az így kapott eredmények összehasonlítása javítja a mérés megbízhatóságát. Fázisnövekedés vizsgálata amorf Si – Cu rendszerben SNMS, XPS, XRD és APT technikák kombinált alkalmazásával A Cu - a-Si rendszer megannyi szilicid fázisa megannyi tudomány területen bukkant fel az elmúlt évtizedben akár a napelemekre akár egyéb energiaforrásokra vagy akár az optikai adathordozókra gondolunk. A Cu3Si fázis például egyes kutatások szerint erősíti az újabb generációs akkumulátorokban található Si nanoszálak szerkezeti integritását és rugalmasságát. A Cu – a-Si rendszeren folytatott mérések során a fázisképződés korai szakasza és a fázis növekedés kinetikájának meghatározása egyaránt célunk volt. Munkánk során több különböző méréstechnikát kombinálva végeztük méréseinket, melyek közt egyaránt megtalálható volt a röntgen diffrakciós mérés (X-ray Diffraction - XRD), atompróbás mérés (Atom Probe Tomography - APT), másodlagos semleges tömegspektrometria (Secondary Neutral Mass Spectrometry - SNMS), profilométeres mérések és 4 pontos ellenállásmérés. Szilicén Ez a rész egy meglehetősen új, az elektronika területén nemrég megjelent anyaggal, a Szilicénnel foglalkozik. A miniatürizáció egyre erősödő hatása olyan új anyagok keresésére sarkallja a kutatói társadalmat mely felválthatná a szilíciumot, mely anyag új lökést adhatna mind az elektronika mind a számítástechnika területén. Az elmúlt évek során e törekvések egy új, Nobel-díj nyertes felfedezésben, a grafénben öltöttek alakot. A grafén fantasztikus tulajdonságokat mutatott az első mérések során, melyek forradalmasíthatnák megannyi tudományág jelen állapotát. Azonban a grafén integrálása a jelenleg létező szilícium alapú technológiába igencsak kérdéses. A periódusos rendszerben a grafént alkotó C atom közvetlen szomszédságában található két atom, név szerint a Si és a Ge mely elvileg hasonló 2 dimenziós, méhkas struktúra kialakítására alkalmas. Így a szilícium atomokból álló szilicén, mely a grafénhez igen hasonló, eszményi jelölt lenne a fent említett integrációs probléma megoldására. Ebből adódóan mind az elméleti mind pedig a gyakorlati vizsgálata ennek az új anyagnak meglehetősen fontos lehet. Éppen ezért kutatásainkat erre az anyagra fókuszáltuk. Méréseink során AES (Auger Electron Spectroscopy), LEED (Low Energy Electron Diffraction) és STM (Scannig Tunneling Microscopy) méréseket végeztünk azért, hogy meghatározzuk a különböző szilicén struktúrák stabilitását és a szilícium ezüstbe történő beoldódási limitét. Vizsgálataink során a (4 X 4) és a (2√3 X 2√3)R30° szilicén struktúrák stabilitását vizsgáltuk megközelítőleg 1 atomi réteg ezüstre párologtatott szilícium segítségével. Új tudományos eredmények Az alábbi eredmények számos tudományos folyóiratban jelentek meg és képezték konferencia előadások és poszterek anyagát. A feszültség hatása a diffúzió kinetikájára Eredményeink alapján arra a következtetésre jutottunk, hogy a feszültséghatások nem járnak lényeges hatással a fázishatár eltolódás kinetikájára, azaz a parabolikus növekedés megmarad, bár a keveredési sebesség lelassul. A feszültségtér megnöveli a lassabb, míg lelassítja a gyorsabban atom áramát. Ebből adódóan kezdeti különbségük kiegyenlítődik, amely a Nernst-Planck limit kialakulásához vezet. Ennek kialakulása nagyon gyorsan bekövetkezik, még mielőtt bármiféle mérhető fázishatár eltolódás megjelenne. Ezek az eredmények összhangban állnak Schmitz és munkatársainak kísérleti eredményeivel. Fázisképződés kezdeti lépéseinek vizsgálata a Ni-Si rendszerben XSW alapú technikákkal Méréseinkkel rámutattunk, hogy az EXAFS és GIXRF mérések eredményei segítéségével, valamint ezen eredmények egybevetésével képesek vagyunk nyomon követni a fázis növekedés kezdeti szakaszát egy fém-szilicid rendszerben a minta roncsolása nélkül megbízható eredményeket szolgáltatva. Mind az EXAFS mind pedig a GIXRF mérések eredményei alapján kimutatható volt a Ni2Si fázis megjelenése és későbbi növekedése. A két különálló mérési eljárás eredményei jó korrelációt mutattak. Munkánk során tovább fejlesztettük a már létező kiértékelési eljárást az EXAFS és GIXRF egymástól teljesen függtlen mérési eredményeinek összevetésével. Mindkét mérési eljárás lehetőséget nyújt a INi2Si/INi arány meghatározására a hőkezelési idő függvényében, mely eredmények összehasonlíthatók, így növelve a megbízhatóságát ennek az összetett mérési eljrárásnak. Fázisnövekedés vizsgálata amorf Si – Cu rendszerben SNMS, XPS, XRD és APT technikák kombinált alkalmazásával Alapvetően két igen érdekes eredmény született ezekből a méréseinkből. Elsőként kimutattuk, hogy a Cu/a-Si/hordozó szerkezetű minta esetén a fázisnövekedés lineáris kinetikát követett ellentétben a szakirodalomban fellelhető parabolikus növekedési kinetikával [4], amelyet 450-500 K hőmérsékleti tartományban végeztek. Ezt követően kimutattuk, hogy az imént említett lineáris fázisnövekedést megelőzően egy elképesztően gyors nukleáció következett be a legrövidebb hőkezelést követően, mely esetén éppen csak addig tartottuk a kívánt hőmérsékleten a mintát, amíg a felmelegítés során elértük az adott hőmérsékletet, amit aztán rögtön hagytunk lehűlni. Meglepő módon még ekkor is egy mintegy 20 nm vastag fázis alakult ki a mintában. A jelenség tisztázása érdekében két újabb, eltérő szerkezetű mintát vizsgáltunk: Cu/a-Si/Cu/hordozó és a-Si/Cu/a-Si/hordozó. A méréseinkből kimutatható volt, hogy a fázisnövekedés azon fázishatárokon indult meg ahol a Cu az a-Si felett helyezkedett el, míg a másik fázishatár gyakorlatilag változatlan formában megőrződött. Ez a mérési eredmény jó példával szolgál annak demonstrálására, hogy az egyes rétegek gyártási sorrendje mennyire kritikus jelentőséggel bírhat a fázisnövekedésben. A jelenség ebben az esetben azzal magyarázható, hogy a Si szeret a felületen szegregálni ebben a rendszerben, így mikor a Si-ot porlasztjuk a Cu-re az termodinamikailag kívánatosabb, mint mikor a Si kerül a Cu alá. Ebből következőleg az utóbbi esetben, mikor a Si a Cu alatt helyezkedik el, a Si atomok bediffundálnak a Cu rétegbe, ezáltal egy kevert réteget létrehozva, míg a másik fázishatár alapvetően éles marad. A fázis megjelenése értelemszerűen sokkal egyszerűbb abban az esetben ahol már alapvetően adott egy kevert zóna. Szilicén Méréseink során az AES, LEED és STM mérések eredményei alapján meghatároztuk a Si beoldódási határát az Ag-ben. Eredményeinket a szilicén (4 X 4)-es struktúráján végzett méréseinkre alapoztuk. A beoldósási határ értékét 1.88 at% -nak találtuk 300 oC-on. Referencia [1] G. Schmitz, C.B. Ene, C. Nowak, Acta Materialia 57 (9) (2009) 2673–2683. [2] G. Stephenson, Acta Metallurgica 36 (10) (1988) 2663–2683. [3] D. Beke, P. Nemes, Z. Erdélyi, I. Szabó, G. Langer, Material Research Symposium on Proceedings 527 (1998)99–110. [4] R.R. Chromik, W.K. Neils and E.J. Cotts, J. Appl. Phys., 86 (1999) 4273.Tétel Korlátozottan hozzáférhető Investigation of dispersion parameters, dielectric properties and opto-electrical parameters of ZnO thin film grown by ALD(2020) Zaka, Hanaa; Parditka, Bence; Erdélyi, Zoltán; Atyia, H. E.; Sharma, Pankaj; Fouad, Suzan SaladTétel Szabadon hozzáférhető Kirkendall Effect on the Nanoscale(2017) Cserháti, Csaba; Langer, Gábor Antal; Parditka, Bence; Csik, Attila; Iguchi, Yusuke; Czigány, Zsolt; Erdélyi, ZoltánTétel Szabadon hozzáférhető Morphological and in situ local refractive index change induced tuning of the optical properties of titania coated porous gold nanoparticles(2020) Juhász, Laura; Parditka, Bence; Shenouda, S. S.; Kadoi, Misumi; Fukunaga, Kei-ichi; Erdélyi, Zoltán; Cserháti, CsabaTétel Szabadon hozzáférhető Nitrogen doped carbon aerogel composites with TiO2 and ZnO prepared by atomic layer deposition(2020) Bakos, László Péter; Mensah, Joshua; László, Krisztina; Parditka, Bence; Erdélyi, Zoltán; Székely, Edit; Lukács, István; Kónya, Zoltán; Cserháti, Csaba; Zhou, Chen; Seo, Jin Won; Halasi, Gyula; Szilágyi, Imre MiklósTétel Szabadon hozzáférhető Photocatalytic Crystalline and Amorphous TiO2 Nanotubes Prepared by Electrospinning and Atomic Layer Deposition(2021) Kéri, Orsolya; Kocsis, Eszter; Karajz, Dániel; Nagy, Zsombor Kristóf; Parditka, Bence; Erdélyi, Zoltán; Szabó, Anna; Hernádi, Klára; Szilágyi, Imre MiklósTétel Szabadon hozzáférhető Photocatalytic hollow TiO2 and ZnO nanospheres prepared by atomic layer deposition(2017) Justh, Nóra; Bakos, László Péter; Hernádi, Klára; Kiss, Gabriella Ilona; Réti, Balázs; Erdélyi, Zoltán; Parditka, Bence; Szilágyi, Imre MiklósTétel Szabadon hozzáférhető Photocatalytic properties of TiO2@polymer and TiO2@carbon aerogel composites prepared by atomic layer deposition(2019) Justh, Nóra; Mikula, Gergő János; Bakos, László Péter; Nagy, Balázs; László, Krisztina; Parditka, Bence; Erdélyi, Zoltán; Takáts, Viktor; Mizsei, János; Szilágyi, Imre MiklósTétel Szabadon hozzáférhető Silicene on Ag(111): domains and local defects of the observed superstructures(2014) Jamgotchian, Haik; Colignon, Yann; Ealet, Benedicte; Parditka, Bence; Hoarau, Jean-Yves; Girardeaux, Christophe; Aufray, Bernard; Bibérian, Jean-Paul