Szabályozott szennyezéseket végeztem úgy, hogy a szilícium-lemezeket híg HCl-alapú (pH =1.3) oldatba merítettem, amelyek pontosan meghatározott, ppb-szintű fémkoncentrációt tartalmaztak. A szennyeződések lerakódási viselkedése matematikailag egy adszorpciós izoterma elmélettel írható le. A szabályozott szennyezés szimulálja a fémszennyezéseket a szilícium felületén és a tömbi anyagban. A dolgozat célja az általam kifejlesztett szennyezési eljárással megvizsgálni, hogy a különböző átmenetifémek (Fe, Cu, Co, Zn, Ti, és a Cr) milyen hatással vannak a szilícium felületére, hol helyezkednek el rajta, a kisebbségi töltéshordozók élettartama mennyivel változik, és hogy ezeket a szennyezéseket milyen módszerrel lehet hatékonyan eltávolítani. Egy gyakorlati tisztítási alkalmazás bemutatása is célom az értekezés során. Controlled contaminations were performed by immersing the silicon wafers in dilute HCl-based (pH=1.3) solutions containing well-defined ppb-range metal concentrations. The deposition behavior of impurities can be described mathematically by an adsorption isotherm theory. Controlled contamination simulates metal pollution on the surface of silicon and in bulk in the solar cell industry. The aim of the dissertation is to investigate the effect of different transition metals (Fe, Cu, Co, Zn, Ti, and Cr) on the surface of silicon, their location on it, how much the service life of minority charge carriers changes, and how these contaminants can be removed effectively. I also aim to present a practical cleaning application during the dissertation.