Szerző szerinti böngészés "Fam, Shenouda Shanda Shenouda"

Megjelenítve 1 - 1 (Összesen 1)
  • Nincs kép
    TételSzabadon hozzáférhető
    Nanoscale investigation of diffusion and solid state reactions of Ni/Si and Ag/Au thin film systems
    Fam, Shenouda Shanda Shenouda; Beke, Dezső; Fizikai tudományok doktori iskola; DE--Természettudományi és Technológiai Kar -- Department of Solid State Physics
    Absztrakt: Mélységi profilírozást használva Másodlagos Semleges Tömegspektroszkópiában, valamint Röntgen Diffrakcióval, elektromos ellenállással és TEM vizsgálatokkal megmutattam, hogy nanométeres NiSi rétegek készíthetők Ni2Si és Si(100) hordozó közötti szemcsehatár diffúzió indukált szilárdtest reakcióval alacsony hőmérsékleteken (180-200oC). A fenti reakció közbeni határfelület eltolódási sebességét is meghatároztam. A fenti mélységi profilírozási módszert alkalmaztam egyedi határfelületek eltolódási kinetikájának meghatározására nanokristályos-Ni/c-Si és nanokristályos-Ni/a-Si rendszerekben 180oC-on. A Si és Ni fogyási, valamint a reakciótermék növekedési kinetikája követi a parabolikus törvényt, azaz a vastagságok t1/2-el voltak arányosak. Amorf Si-ot tartalmazó (a-Si) rendszerben hosszabb hőkezelés időnél közel 40%Ni tartalmú réteg fejlődött ki a Si oldalán, jelezve NiSi2 fázis képződését. Ezt a Ni-nek az a-Si-bne való viszonylag nagyobb diffúziós együtthatójával értelmeztük. A Pt hatására vonatkozó eredmények azt mutatták, hogy a Pt növeli a NiSi fázis stabilitását, de nincs hatással a kinetikákra. Szemcsehatár diffúziós keveredést vizsgáltunk Ag/Au vékony filmekben is alacsony hőmérsékleteken (120-200oC). Világos kísérleti bizonyítékot szolgáltattunk Kirkendall-porozitás képződésére az Ag szemcsehatárai mentén. A pórusképződést 100 bar hidrosztatikai nyomás letiltotta. A kölcsönös diffúzió homogenizációra vezet mind az Ag és a z Au rétegben, olyan szintig, amely megfelel a szemcsehatár diffúzió indukált szemcsehatár mozgás a mozgó határok által hátrahagyott összetételeknek.