A DIPLOMAMUNKA ÖSSZEFOGLALÁSA

A diplomamunka első részében a Stephenson-féle modellre alapozva megvizsgáltuk, hogy a diffúziós keveredés következtében fellépő feszültség hogyan befolyásolja a diffúziós kinetikát amorf Si-Ge rendszerben. A feszültséghatást különböző diffúziós aszimmetria feltételezése mellett is tanulmányoztuk.

Azt találtuk, hogy a diffúziós keveredés következtében fellépő feszültség nem képes számottevően befolyásolni kinetikát, parabolikus marad. Ennek jelentősége abban rejlik, hogy számos elméleti és kísérleti vizsgálat rámutatott, hogy nanoskálán anomális kinetika is megfigyelhető nagy diffúziós aszimmetria esetében. Azonban az elméleti vizsgálatokban a feszültségek szerepét nem vették figyelembe, míg a kísérletekben nem tudtak semmit mondani a feszültségek szerepére vonatkozólag.

A diplomamunka második részében bemutattuk az általunk kifejlesztett kinetikus átlagtér modellt, mely képes egy kétalkotós rendszerben egy rendezett és egy korlátozott oldékonyságú fázis egyensúlyának kialakítására és fenntartásra, melynek működését több tesztszámolással demonstráltuk is.

Ezek a vizsgálatok fontos hozzájárulást jelentenek a határfelületi elmozdulás-kinetikák vizsgálatában. Ez a terület amellett, hogy alapkutatási szempontból is jelentős, fontos alkalmazási, technológiai vonatkozásokkal is bír.

Zárásképpen érdemes még megemlíteni, hogy a diplomamunka első részében bemutatott munka képezi egy általunk a Physical Review B folyóiratba beküldésre került kéziratnak.