Nanoskálájú atomi mozgások vizsgálata Cu/Si vékonyfilmekben

A tétel rövid nézete
dc.contributor.advisorVad, Kálmán
dc.contributor.authorBodnár, Eszter
dc.contributor.authorvariantBodnár, Eszter
dc.contributor.departmentFizikai tudományok doktori iskolahu
dc.contributor.submitterdepEgyetemen kívüli
dc.date.accessioned2024-03-25T11:34:47Z
dc.date.available2024-03-25T11:34:47Z
dc.date.created2024
dc.date.defended2024-06-26
dc.description.abstractNapjainkban az elektronikai ipar fejlődésével, a miniatürizálás és a nagyfokú integráció következtében, a mikroelektronikai áramkörök alkatrészeinek és vezetékeinek mérete lecsökken a nanométeres tartományba. A szilícium (Si), mint félvezető, az egyik legfontosabb alapanyag a mikroelektronikában, a memória és processzor chip-ek gyártásában, a számítógépekben, vagy az energiatermeléshez használt napelemcellák készítésében, illetve az akkumulátorgyártásban is. Az elektronikai elemek összekapcsolásához jó elektromos vezetőképességgel rendelkező fémre van szükség, pl. rézre (Cu). A különböző elektromos vezetőképességű rétegek (anyagok) keveredésükkel , vagy csak az egyik anyagnak a másikon való átjutásával, degradálhatják a fémes kapcsolatokat az elektronikai eszközben, lecsökkentve azok működési élettartalmát. A degradáció szempontjából lényeges folyamatok az elektromigráció és a termikusan indukált atomi migráció. Ez utóbbi folyamat kevésbé feltérképezett alacsony hőmérsékleteken, a 100-180 °C hőmérsékleti tartományban. A klasszikusan ismert kísérleti technikákkal ebben a hőmérsékleti tartományban, a szükséges érzékanység hiánya miatt, nem lehet vizsgálatokat végezni. Ezért alig található irodalmi adat. A Si és Cu atompár esetében sem voltak olyan kísérleti adatok a szakirodalomban, melyek helyesen írják le az alacsonyhőmérsékleti tartomány atomi mozgásait.
dc.format.extent99
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/2437/367833
dc.language.isohu
dc.subjectszemcsehatár, diffúzió, szilícium, réz, vékonyréteg, LEIS
dc.subject.disciplineFizikai tudományokhu
dc.subject.sciencefieldTermészettudományokhu
dc.titleNanoskálájú atomi mozgások vizsgálata Cu/Si vékonyfilmekben
dc.title.translatedInvestigation of nanoscale atomic motion in Cu/Si thin films
Fájlok
Eredeti köteg (ORIGINAL bundle)
Megjelenítve 1 - 3 (Összesen 3)
Nincs kép
Név:
bodnar_tezisfuzat_2024_vegleges_4_titkositott.pdf
Méret:
1.21 MB
Formátum:
Adobe Portable Document Format
Letöltés
Nincs kép
Név:
bodnar_eszter_dolgozat_vegleges_3_titkositott.pdf
Méret:
2.22 MB
Formátum:
Adobe Portable Document Format
Letöltés
Nincs kép
Név:
Bodnár_Eszter_meghívó.docx_v2.pdf
Méret:
630.04 KB
Formátum:
Adobe Portable Document Format
Letöltés
Engedélyek köteg
Megjelenítve 1 - 1 (Összesen 1)
Nincs kép
Név:
license.txt
Méret:
1.93 KB
Formátum:
Item-specific license agreed upon to submission
Leírás:
Letöltés
Gyűjtemények
Fizikai Tudományok Doktori Iskola