Fázis- és szerkezetátalakulások vizsgálata Si-Ge és Fe-Pd vékonyfilmekben
Dátum
Szerzők
Folyóirat címe
Folyóirat ISSN
Kötet címe (évfolyam száma)
Kiadó
Absztrakt
A vékonyfilmekben és kristályos anyagokban lejátszódó diffúziós folyamatok és szilárdtestreakciók vizsgálata a modern anyagtudomány élvonalába tartozó kutatási terület, mely nemcsak alapkutatás, hanem a gyakorlati alkalmazások szempontjából is fontos, hiszen ezeknek az anyagoknak a gyakorlati felhasználása is rendkívül széleskörű. A vékonyfilmekben végbemenő folyamatok amellett, hogy szerepet játszanak az új anyagok kialakulása során, befolyásolják az eszközök működési tulajdonságait is. Tehát a kutatási eredmények segítségével lehetőség nyílik új, a korábbiaknál hatékonyabb, hosszabb élettartamú eszközök fejlesztésére, valamit az előállított anyagok tulajdonságainak bizonyos felhasználásokra történő optimalizálására is. A dolgozatban bemutatom a termoelektromos Si-Ge-Au multirétegeken végzett vizsgálatok eredményeit. A kutatómunka célja volt, megismerni, hogy a Si-Ge rendszerhez adott Au hogyan viselkedik, azaz a hőkezelések után milyen szerkezetben van jelen, milyen a mélységi eloszlása a filmben, valamint, hogy milyen tényezők határozzák meg ezen viselkedését. Az eredmények segíthetnek a korábbi irodalmi eredmények értelmezésében. Bemutatom továbbá különböző Fe-Pd alapú mágneses vékonyfilmekben hőkezelések hatására lejátszódó diffúziós folyamatokat és fázisátalakulásokat. A vizsgálatok célja volt megismerni, hogy a rendszerhez adott különböző harmadik komponensek és/vagy pufferrétegek alkalmazása milyen folyamatokat indukálnak és milyen szerkezetek kialakulását idézik elő Fe-Pd mintákban, elősegítik e a rendezett tetragonális L10 fázis kialakulását a rendszerben.
Investigation of diffusion processes and solid state reactions in thin films is one of the most researched areas of nowadays materials science. These investigations do not only provide important information for fundamental science but there is also widespread technical application of this materials. The processes in the thin films play important role during the formation of new materials and can also influence the operating properties of the devices. Therefore, using the results of the researches makes it possible to develop new, long life, and more efficient devices. And it can be also possible to optimize the properties of these devices for specific applications. In the thesis I present results obtained during the investigation of thermoelectric Si-Ge-Au multilayer thin films. The aim of the research was to study the behaviour of the Au added to the Si-Ge system; i.e. in what structure the Au appears in the system after annealing and what is the depth distribution of it. The results can help the interpretation of previously published results. Furthermore, I present the diffusion processes and phase transformations in Fe-Pd thin films during low temperature annealings. The aim of the research was to investigate how the methods such as addition of third components and/or buffer layers work in the Fe-Pd system. We aimed to investigate and understand the underlying processes and whether they promote the formation of the ordered tetragonal L10-FePd phase.