Diffúzió és diffúzió kontrollált jelenségek vizsgálata fém/félvezető nanorétegekben SNMS technikával

dc.contributor.advisorLanger, Gábor
dc.contributor.authorLakatos, Ákos
dc.contributor.authorvariantLakatos, Ákos
dc.contributor.departmentFizikai tudományok doktori iskolahu
dc.contributor.submitterdepDE--TEK--Természettudományi Kar -- Szilárdtest Fizika Tanszék
dc.date.accessioned2011-04-14T13:16:48Z
dc.date.available2011-04-14T13:16:48Z
dc.date.defended2011-04-29
dc.date.issued2011hu
dc.description.abstractDoktori értekezésemben fémek és félvezetőrétegek közötti atommozgások által kontrollált jelenségeket vizsgáltam. A kísérletek során a mintákat magam készítettem, majd alacsony hőmérsékletű hőkezelések után vizsgáltam a mélységi elem összetételbeli változásokat másodlagos neutrális részecske tömegspektrometriával. Az SNMS profilokat koncentráció-mélység görbékre történő átszámolása egyes helyeken diffúziós együtthatók meghatározását, és azok aktiválási energiáinak meghatározását tette lehetővé. Munkámban próbáltam az SNMS berendezés eddig ismert alkalmazási lehetőségeit bővíteni az atommozgási folyamatok vizsgálata terén. Investigations of diffusion effects in nanolayered systems by mass spectroscopic methods are well-known and there is an increasing demand for them. Secondary Neutral Mass Spectrometry as a depth profiling method is sensitive enough to map concentration profiles formed in thin film systems with good spatial resolution and high lateral homogeneity. This instrument fulfils the requirements for quantitative chemical surface, in-depth, and bulk analysis. In my thesis I provide a description on diffusion controlled changes in metal- semiconductor thin films. After the preparation of the samples by magnetron sputtering they were heat treated and measured by SNMS.hu_HU
dc.description.correctorNE
dc.format.extent101hu_HU
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2437/104533
dc.language.isohuhu_HU
dc.language.isoenhu_HU
dc.subjectDiffusionhu_HU
dc.subjectDiffúzióhu_HU
dc.subjectsemiconductor nanolayers
dc.subjectfélvezető vékonyrétegek
dc.subject.disciplineFizikai tudományokhu
dc.subject.sciencefieldTermészettudományokhu
dc.titleDiffúzió és diffúzió kontrollált jelenségek vizsgálata fém/félvezető nanorétegekben SNMS technikávalhu_HU
dc.title.translatedInvestigation of diffusion and diffusion controlled processes in metal/semiconductor nanolayers by SNMS techniquehu_HU
dc.typePhD, doktori értekezéshu
Fájlok
Eredeti köteg (ORIGINAL bundle)
Megjelenítve 1 - 10 (Összesen 12)
Nincs kép
Név:
disszertáció_final_lakatos.pdf
Méret:
5.65 MB
Formátum:
Adobe Portable Document Format
Leírás:
Az értekezés magyarul - Nem hozzáférhető
Nincs kép
Név:
thesis_english_final_lakatos_a5.pdf
Méret:
143.14 KB
Formátum:
Adobe Portable Document Format
Leírás:
A tézisek angolul - Nem hozzáférhető
Nincs kép
Név:
tezis_magyar_final_lakatos_a5.pdf
Méret:
162.94 KB
Formátum:
Adobe Portable Document Format
Leírás:
A tézisek magyarul - Nem hozzáférhető
Nincs kép
Név:
1.pdf
Méret:
578.62 KB
Formátum:
Adobe Portable Document Format
Leírás:
cikk1 - Nem hozzáférhető
Nincs kép
Név:
2.pdf
Méret:
334.67 KB
Formátum:
Adobe Portable Document Format
Leírás:
cikk2 - Nem hozzáférhető
Nincs kép
Név:
apl.pdf
Méret:
540.01 KB
Formátum:
Adobe Portable Document Format
Leírás:
cikk3 - Nem hozzáférhető
Betöltés ...
Bélyegkép
Név:
1-t.pdf
Méret:
578.87 KB
Formátum:
Adobe Portable Document Format
Leírás:
cikk1
Betöltés ...
Bélyegkép
Név:
2-t.pdf
Méret:
334.91 KB
Formátum:
Adobe Portable Document Format
Leírás:
cikk2
Betöltés ...
Bélyegkép
Név:
apl-t.pdf
Méret:
537.37 KB
Formátum:
Adobe Portable Document Format
Leírás:
cikk3
Betöltés ...
Bélyegkép
Név:
disszertáció_final_lakatos-t.pdf
Méret:
5.63 MB
Formátum:
Adobe Portable Document Format
Leírás:
Az értekezés magyarul