Doktori értekezésemben fémek és félvezetőrétegek közötti atommozgások által kontrollált jelenségeket vizsgáltam. A kísérletek során a mintákat magam készítettem, majd alacsony hőmérsékletű hőkezelések után vizsgáltam a mélységi elem összetételbeli változásokat másodlagos neutrális részecske tömegspektrometriával. Az SNMS profilokat koncentráció-mélység görbékre történő átszámolása egyes helyeken diffúziós együtthatók meghatározását, és azok aktiválási energiáinak meghatározását tette lehetővé. Munkámban próbáltam az SNMS berendezés eddig ismert alkalmazási lehetőségeit bővíteni az atommozgási folyamatok vizsgálata terén.

Investigations of diffusion effects in nanolayered systems by mass spectroscopic methods are well-known and there is an increasing demand for them. Secondary Neutral Mass Spectrometry as a depth profiling method is sensitive enough to map concentration profiles formed in thin film systems with good spatial resolution and high lateral homogeneity. This instrument fulfils the requirements for quantitative chemical surface, in-depth, and bulk analysis. In my thesis I provide a description on diffusion controlled changes in metal- semiconductor thin films. After the preparation of the samples by magnetron sputtering they were heat treated and measured by SNMS.