A tranzisztorgyártásban fémes kontaktus kialakítására használt Ni-aSi rendszer növekedési kinetikáját vizsgálja a dolgozatom. Hőkezelés hatására az aSi és Ni(Pt) rétegek határán kialakul egy nikkel-szilicid réteg. A hőkezelés idejének ismeretében, a kialakult réteg vastagságának mérésével meghatározható, hogy a réteg kialakulása közben lejátszódó folyamat diffúziókontrollált, vagy reakciókontrollált. Ezáltal a növekedési kinetikáról kapunk képet. A rétegvastagságot SNMS és profilométer segítségével állapítottuk meg.