<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Interdiffusion in amorphous Si/Ge multilayers by Auger depth profiling technique

Absztrakt

Leírás

Kulcsszavak

Forrás

Journal Of Applied Physics. -89 : 1 (2001), p. 804-806. -J. Appl. Phys. - 0021-8979

Jóváhagyás

Áttekintés

Kiegészítve

Hivatkozik rá

Jogok és engedélyezések

open access journal (12h embargó)
szerző