Interdiffusion in amorphous Si/Ge multilayers by Auger depth profiling technique

dc.contributor.authorCsik, Attila
dc.contributor.authorLanger, Gábor Antal
dc.contributor.authorBeke, Dezső László
dc.contributor.authorErdélyi, Zoltán
dc.contributor.authorMenyhárd, Miklós
dc.contributor.authorSulyok, Attila
dc.date.accessioned2012-12-10T11:06:27Z
dc.date.available2012-12-10T11:06:27Z
dc.date.issued2001
dc.date.pasync2017-12-01T09:08:04Z
dc.date.updated2017-12-01T09:08:04Z
dc.identifier.citationJournal Of Applied Physics. -89 : 1 (2001), p. 804-806. -J. Appl. Phys. - 0021-8979
dc.identifier.doihttp://dx.doi.org/10.1063/1.1331330
dc.identifier.issn0021-8979
dc.identifier.opachttp://webpac.lib.unideb.hu:8082/ebib/CorvinaWeb?action=cclfind&resultview=long&ccltext=idno+BIBFORM039958hu
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2437/154817
dc.languageeng
dc.rights.accessopen access journal (12h embargó)
dc.rights.ownerszerző
dc.subject.mabTermészettudományok
dc.subject.mabFizikai tudományok
dc.titleInterdiffusion in amorphous Si/Ge multilayers by Auger depth profiling technique
dc.typefolyóiratcikk
Fájlok
Eredeti köteg (ORIGINAL bundle)
Megjelenítve 1 - 1 (Összesen 1)
Nincs kép
Név:
file_up_BIBFORM008601.pdf
Méret:
37.35 KB
Formátum:
Adobe Portable Document Format
Leírás:
Kiadói változat