Atomi rétegleválasztás (ALD) módszerrel készített vékonyrétegek analízise
Betöltés ...
Dátum
Authors
Folyóirat címe
Folyóirat ISSN
Kötet címe (évfolyam száma)
Kiadó
DOI
Absztrakt
Munkám során az MTA Atommagkutató Intézetben a 2013-as év végén üzembe helyezett Beneq TFS-200 típusú atomi rétegleválasztó berendezés (ALD) működési paramétereinek optimalizálásával, Al2O3 vékonyrétegek előállításával és az elkészült minták vizsgálatával, minősítésével foglalkoztam. A különböző rétegvastagsággal előállított mintákat felületi egyenetlenségeit pásztázó elektronmikroszkóp (SEM) segítségével vizsgáltuk, az egyes elemek mélységi eloszlását másodlagos semleges részecske tömegspketrométer (SNMS) alkalmazásával állapítottuk meg.