Atomi rétegleválasztás (ALD) módszerrel készített vékonyrétegek analízise

A tétel rövid nézete
dc.contributor.advisorCsík, Attila
dc.contributor.authorSzabó, Éva
dc.contributor.departmentDE--Természettudományi és Technológiai Kar--Kémiai Intézethu_HU
dc.date.accessioned2014-05-09T08:27:28Z
dc.date.available2014-05-09T08:27:28Z
dc.date.created2014-05-09
dc.date.issued2014-05-09T08:27:28Z
dc.description.abstractMunkám során az MTA Atommagkutató Intézetben a 2013-as év végén üzembe helyezett Beneq TFS-200 típusú atomi rétegleválasztó berendezés (ALD) működési paramétereinek optimalizálásával, Al2O3 vékonyrétegek előállításával és az elkészült minták vizsgálatával, minősítésével foglalkoztam. A különböző rétegvastagsággal előállított mintákat felületi egyenetlenségeit pásztázó elektronmikroszkóp (SEM) segítségével vizsgáltuk, az egyes elemek mélységi eloszlását másodlagos semleges részecske tömegspketrométer (SNMS) alkalmazásával állapítottuk meg.hu_HU
dc.description.correctorgj
dc.description.courseKémiahu_HU
dc.description.degreeBSc/BAhu_HU
dc.format.extent24hu_HU
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2437/191789
dc.language.isohuhu_HU
dc.subjectALDhu_HU
dc.subjectanalízishu_HU
dc.subject.dspaceDEENK Témalista::Kémia::Alkalmazott kémiahu_HU
dc.titleAtomi rétegleválasztás (ALD) módszerrel készített vékonyrétegek analízisehu_HU
Fájlok
Gyűjtemények
Hallgatói dolgozatok (Természettudományi és Technológiai Kar)