Effect of process parameters on co-sputtered Al(1-x)ScxN layer`s properties: Morphology, crystal structure, strain, band gap, and piezoelectricity
Fájlok
Dátum
2024
Folyóirat címe
Folyóirat ISSN
Kötet címe (évfolyam száma)
Kiadó
Absztrakt
Leírás
Kulcsszavak
Természettudományok, Fizikai tudományok
Jogtulajdonos
szerzők
Jelzet
Egyéb azonosító
Forrás
Materials Science In Semiconductor Processing. -169 (2024), p. 1-9. -(cikkazonosító)107902. -Mater. Sci. Semicond. Process. - 1369-8001