<link rel="stylesheet" href="styles.f3b1fba60ec7970c.css">

Monitoring of Dose Dependent Damage in MeV Energy Hydrogen Implanted Silicon by Photo-Modulated Reflectance Measurements

Absztrakt

Leírás

Kulcsszavak

Forrás

IEEE Journal of the Electron Devices Society. -10 (2022), p. 761-768. -IEEE J. Electron Devices Soc. - 2168-6734. - 2168-6734

Jóváhagyás

Áttekintés

Kiegészítve

Hivatkozik rá

Jogok és engedélyezések

open access article
szerző