Monitoring of Dose Dependent Damage in MeV Energy Hydrogen Implanted Silicon by Photo-Modulated Reflectance Measurements

A tétel rövid nézete
dc.contributor.authorSzívós, János
dc.contributor.authorBalogh, Lydia
dc.contributor.authorRajta, István
dc.contributor.authorNagy, Gyula
dc.contributor.authorGaál, Zoltán Tamás
dc.contributor.authorSamu, Viktor
dc.contributor.authorTakefumi, Kondo
dc.contributor.authorZolnai, Zsolt
dc.date.accessioned2025-04-28T11:16:02Z
dc.date.available2025-04-28T11:16:02Z
dc.date.issued2022
dc.date.oa2025-04-28
dc.date.pasync2025-05-08T23:08:19Z
dc.date.updated2025-04-28T11:16:02Z
dc.description.correctorTB
dc.identifier.citationIEEE Journal of the Electron Devices Society. -10 (2022), p. 761-768. -IEEE J. Electron Devices Soc. - 2168-6734. - 2168-6734
dc.identifier.doihttp://dx.doi.org/10.1109/JEDS.2022.3178866
dc.identifier.issn2168-6734
dc.identifier.opachttps://ebib.lib.unideb.hu/ebib/CorvinaWeb?action=cclfind&resultview=long&ccltext=idno+BIBFORM129628
dc.identifier.scopus85131731774
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/2437/389437
dc.identifier.urlhttps://ieeexplore.ieee.org/document/9784931
dc.identifier.wos000853842400009
dc.languageeng
dc.rights.accessopen access article
dc.rights.ownerszerző
dc.subject.mabTermészettudományok
dc.subject.mabFizikai tudományok
dc.titleMonitoring of Dose Dependent Damage in MeV Energy Hydrogen Implanted Silicon by Photo-Modulated Reflectance Measurements
dc.typefolyóiratcikk
dc.typeidegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Fájlok
Eredeti köteg (ORIGINAL bundle)
Megjelenítve 1 - 1 (Összesen 1)
Nincs kép
Név:
FILE_UP_0_Monitoring_of_Dose_Dependent_Damage_in_MeV_Energy_Hydrogen_Implanted_Silicon_by_Photo-Modulated_Reflectance_Measurements.pdf
Méret:
1.38 MB
Formátum:
Adobe Portable Document Format
Leírás:
kiadói változat
Letöltés
Gyűjtemények
Publikációs Adatbázis