Disorder and cavity evolution in single-crystalline Ge during implantation of Sb ions monitored in-situ by spectroscopic ellipsometry
Fájlok
Dátum
2022
Folyóirat címe
Folyóirat ISSN
Kötet címe (évfolyam száma)
Kiadó
Absztrakt
Leírás
Kulcsszavak
Forrás
Materials Science In Semiconductor Processing. -152 (2022), p. 1-11. -Mater. Sci. Semicond. Process. - 1369-8001