Disorder and cavity evolution in single-crystalline Ge during implantation of Sb ions monitored in-situ by spectroscopic ellipsometry
Betöltés ...
Fájlok
Dátum
Folyóirat címe
Folyóirat ISSN
Kötet címe (évfolyam száma)
Kiadó
Absztrakt
Leírás
Kulcsszavak
Forrás
Materials Science In Semiconductor Processing. -152 (2022), p. 1-11. -(cikkazonosító)107062. -Mater. Sci. Semicond. Process. - 1369-8001
Hivatkozás
Gyűjtemények
Jóváhagyás
Áttekintés
Kiegészítve
Hivatkozik rá
Jogok és engedélyezések
open access article
Szerző
Szerző