Disorder and cavity evolution in single-crystalline Ge during implantation of Sb ions monitored in-situ by spectroscopic ellipsometry
Fájlok
Dátum
2022
Folyóirat címe
Folyóirat ISSN
Kötet címe (évfolyam száma)
Kiadó
Absztrakt
Leírás
Kulcsszavak
Természettudományok, Fizikai tudományok
Jogtulajdonos
Szerző
Jelzet
Egyéb azonosító
Forrás
Materials Science In Semiconductor Processing. -152 (2022), p. 1-11. -(cikkazonosító)107062. -Mater. Sci. Semicond. Process. - 1369-8001