Disorder and cavity evolution in single-crystalline Ge during implantation of Sb ions monitored in-situ by spectroscopic ellipsometry

dc.contributor.authorLohner, Tivadar
dc.contributor.authorNémeth, Attila
dc.contributor.authorZolnai, Zsolt
dc.contributor.authorKalas, Benjámin
dc.contributor.authorRomanenko, Alekszej
dc.contributor.authorKhánh, Nguyen Quoc
dc.contributor.authorSzilágyi, Edit
dc.contributor.authorKótai, Endre
dc.contributor.authorAgócs, Emil
dc.contributor.authorTóth, Zsolt
dc.contributor.authorBudai, Judit
dc.contributor.authorPetrik, Péter
dc.contributor.authorFried, Miklós
dc.contributor.authorBársony, István
dc.contributor.authorGyulai, József
dc.date.accessioned2024-03-28T09:26:55Z
dc.date.available2024-03-28T09:26:55Z
dc.date.issued2022
dc.date.oa2024-04-04
dc.date.pasync2024-04-09T23:08:53Z
dc.date.updated2024-03-28T09:26:55Z
dc.description.correctorSZKM
dc.identifier.citationMaterials Science In Semiconductor Processing. -152 (2022), p. 1-11. -Mater. Sci. Semicond. Process. - 1369-8001
dc.identifier.doihttp://dx.doi.org/10.1016/j.mssp.2022.107062
dc.identifier.issn1369-8001
dc.identifier.opachttps://ebib.lib.unideb.hu/ebib/CorvinaWeb?action=cclfind&resultview=long&ccltext=idno+BIBFORM119917
dc.identifier.scopus85137065154
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/2437/368005
dc.identifier.urlhttps://linkinghub.elsevier.com/retrieve/pii/S1369800122005893
dc.identifier.wos000860756600004
dc.languageeng
dc.rights.accessopen access article
dc.rights.ownerSzerző
dc.subject.mabTermészettudományok
dc.subject.mabFizikai tudományok
dc.titleDisorder and cavity evolution in single-crystalline Ge during implantation of Sb ions monitored in-situ by spectroscopic ellipsometry
dc.typefolyóiratcikk
dc.typeidegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Fájlok
Eredeti köteg (ORIGINAL bundle)
Megjelenítve 1 - 1 (Összesen 1)
Nincs kép
Név:
FILE_UP_0_1-s2.0-S1369800122005893-main.pdf
Méret:
3.83 MB
Formátum:
Adobe Portable Document Format
Leírás:
Kiadói változat